原子层沉积系统
设计、制造、组装、测试原子层沉积设备
产品描述
技术参数
选项
产品描述
l圆形结构腔室,流体分布均匀
l可精确、均匀的控制沉积温度
l可广泛适用于不同的基底和沉积各种材料
l前驱体、泵、冷阱、控制器独立分布,保证操作使用的安全
l用户友好、组件布局合理,便于操作维护
技术参数

圆形不锈钢材质腔室;前驱体进样系统标配四路(包含冷和热两种前躯体),最高可配至八路

前驱体进样系统配有快速气动阀门

多段温度控制

l前驱体温控0-200°C,精度1°C
l腔室温控0-300°C ,精度1°C
l进出腔室管路温控0-150°C 精度1°C

基本压强 10^-1/10^-3 mbar

设备尺寸 1000x600x1000mm

触控控制系统

l系统当前状态信息显示:气流速度、温度、压力和阀门开度等
l工艺监控:温度和压力等
l偏差报警和安全锁
l菜单操作,实时监控
选项
l等离子体发生器    借助等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能
l臭氧发生器    提供强氧化剂,增大ALD生长的前驱体选择范围
l石英晶体微天平    在线监测薄膜沉积的厚度
标准型(2)
自由容器
产品描述
技术参数
选项
自由容器
产品描述
l圆形结构腔室,具备三种不同体积,可根据客户基底的尺寸灵活调整
l可精确、均匀的控制沉积温度
l可广泛适用于不同的基底和沉积各种材料
l前驱体、泵、冷阱、控制器独立分布,保证操作使用的安全
l用户友好、组件布局合理,便于操作维护
技术参数

不锈钢材质腔室,根据客户样品尺寸有不同的腔室直径和高度可选;前驱体进样系统标配四路(包含冷和热两种前躯体),最高可配至八路

前驱体进样系统配有快速气动阀门

多段温度控制

l前驱体温控0-200°C,精度1°C
l腔室温控0-300°C ,精度1°C
l进出腔室管路温控0-150°C 精度1°C

基本压强 10^-1/10^-3 mbar

设备尺寸 1000x600x1000mm

触控控制系统

l系统当前状态信息显示:气流速度、温度、压力和阀门开度等
l工艺监控:温度和压力等
l偏差报警和安全锁
l菜单操作,实时监控
选项
l等离子体发生器    借助等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能
l臭氧发生器    提供强氧化剂,增大ALD生长的前驱体选择范围
l石英晶体微天平    在线监测薄膜沉积的厚度
标准型(2)(1)
产品描述(2)
技术参数(2)
选项(2)
产品描述(2)
l圆形结构腔室,流体分布均匀
l可精确、均匀的控制沉积温度
l可广泛适用于不同的基底和沉积各种材料
l前驱体、泵、冷阱、控制器独立分布,保证操作使用的安全
l用户友好、组件布局合理,便于操作维护
技术参数(2)

不锈钢材质腔室,根据客户样品尺寸有不同的腔室直径和高度可选;前驱体进样系统标配四路(包含冷和热两种前躯体),最高可配至八路

前驱体进样系统配有快速气动阀门

多段温度控制

l前驱体温控0-200°C,精度1°C
l腔室温控0-300°C ,精度1°C
l进出腔室管路温控0-150°C 精度1°C

基本压强 10^-1/10^-3 mbar

设备尺寸 1000x600x1000mm

触控控制系统

l系统当前状态信息显示:气流速度、温度、压力和阀门开度等
l工艺监控:温度和压力等
l偏差报警和安全锁
l菜单操作,实时监控
选项(2)
l等离子体发生器    借助等离子化的气态原子替代水作为氧化物来增强ALD性能
l臭氧发生器    提供强氧化剂,增大ALD生长的前驱体选择范围
l石英晶体微天平    在线监测薄膜沉积的厚度